在第二十六届中国国际工业博览会上，朗道燧岩（上海）科技有限公司首次公开展示了一台极紫外（EUV）光源系统样机。这是目前公开可见的国产进度最靠前的EUV光源样机，被业界视为高端光刻机的”心脏”。据现场工作人员介绍，该光源系统国产化率达到90%，绝大多数核心零部件为自主研发。
EUV光源是7nm及以下先进制程芯片制造的关键设备，长期以来被荷兰ASML垄断。国产EUV光源样机的亮相，意味着中国在突破半导体制造”卡脖子”环节上取得实质性进展。朗道燧岩官网显示，高功率极紫外光源系统FlintMicro-LPP系列已完成原理论证，低功率极紫外光源系统FlintNano-LPP系列已处于产品化阶段。
据官网公布的技术参数，FlintNano LPP-OXXO的驱动激光功率为1000W，激光频率1至20kHz，转换效率大于2%，EUV能量大于15W，持续工作时间超过100小时。朗道燧岩成立于2024年，以清华大学气体放电等离子体实验室的研发成果为基础，聚焦LPP-EUV光刻光源技术，目前已完成A轮融资，投资方包括沃衍资本、中芯聚源等。
从嵌入式与工控芯片产业看，EUV技术的国产化将间接利好国内芯片设计企业。当前瑞芯微RK3588、RK3576等芯片采用8nm制程，未来向更先进节点演进时，本土EUV能力将提供供应链安全保障。对于军屹微电子等基于国产芯片的嵌入式方案商而言，上游制造能力的提升意味着更稳定的产能预期和更可控的供应风险。
此外，EUV光源的突破也将带动光刻胶、光学元件、精密机械等配套产业链发展，形成国产半导体装备的集群效应。在”十五五”期间，随着国产EUV技术的持续迭代，中国半导体产业有望从”设计强、制造弱”向全产业链均衡发展迈进。
来源：IT之家/解放日报