2026年10月15日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延长碳化硅晶圆供应协议，将双方超过20年的合作从150mm规格延伸至200mm。这份多年期协议一方面为英飞凌推进200mm碳化硅制造提供衬底保障，另一方面也为材料业务承压的Wolfspeed带来确定性长期需求。
200mm晶圆的理论面积约为150mm的1.78倍，在芯片尺寸与工艺条件相近时可排布更多芯片，从而降低单位衬底成本、改善制造效率。英飞凌2025年2月已在奥地利菲拉赫交付首批200mm碳化硅产品，马来西亚居林基地正推进150mm向200mm的产线转换。需求侧数据同样亮眼：国信证券研报显示，2026年1—5月国内新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比达30.9%，800V车型渗透率约33%、其中碳化硅渗透率达77%；AI数据中心的高压直流供电正成为第二条需求曲线。Yole Group预计，全球碳化硅功率器件市场到2031年将达约110亿美元。国内衬底厂商亦在同步卡位——天岳先进2025年全球导电型碳化硅衬底市场份额达27.6%位居全球第一，其中200mm衬底份额达51.3%，2026年前三季度营收15.59亿元、同比增长40.22%；博世、意法半导体、Coherent等厂商亦在推进200mm布局。
从行业格局看，碳化硅产业的竞争重心正从器件环节向”衬底成本+晶圆规格”前移：谁先把200mm从工艺验证推向稳定量产，谁就能在新能源汽车、光伏储能与AI数据中心电源的增量市场占据成本与规模优势；而衬底采购的多来源化与国产厂商份额提升，正在重塑全球功率半导体供应链——200mm能否真正兑现成本优势，最终取决于良率、产能利用率与订单的同步跟上。
碳化硅功率器件的渗透与经济性改善，将持续优化军屹微电子各类硬件平台的电源设计空间：边缘计算主机5G-EDGE-3399Pro/AI-BOX-3588的宽压供电与高效率电源模块、工控小主机IPC-i5-1235U的工业电源链路，以及核心板J-3568/J-3576/J-3588、边缘智能主板K系列与触控一体机的电源架构，均可受益于SiC器件在功率密度与转换效率上的持续进步，为整机的小型化、高可靠与宽温运行提供器件级支撑。
来源：界面新闻：英飞凌续约Wolfspeed，200mm碳化硅的”下一关”（2026-10-25）